삼성전자
'신성장 4대 승부수'

삼성전자가 인공지능(AI) 시대의 주도권을 다시 잡기 위해 반도체 신사업 4개에 동시에 액셀을 밟고 있습니다. ① 400단대 낸드플래시 'V10' 개발 ② 화합물 반도체(GaN·SiC) 양산 본격화 ③ 첨단 패키징 인프라 확대 ④ AI용 유리기판 도입이 그것입니다.

네 사업의 공통점은 'AI 수요 폭증'입니다. 데이터센터·전기차·자율주행 같은 새로운 시장이 기존 메모리만으로는 채울 수 없는 새로운 부품 수요를 만들어내고 있는데, 삼성이 가진 압도적인 생산 능력과 자금력으로 이를 한꺼번에 잡겠다는 전략입니다. 후방 소재·부품·장비(소부장) 업계도 동반 수혜가 예상됩니다.

삼성전자는 차세대 낸드플래시 'V10'을 400단대로 개발하고 있습니다. 현재 양산 중인 9세대 V9(286단)에서 한 번에 100단 이상 점프하는 것이며, 경쟁사 SK하이닉스가 321단인 점을 고려하면 300단대를 통째로 건너뛰는 공격적 전략입니다.

낸드는 단수가 높을수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 단가가 떨어집니다. 다만 단을 높이 쌓을수록 깊이 파야 하는 식각(에칭) 난도가 기하급수적으로 올라가, 삼성은 극저온 식각·레이저 가공 등 신기술을 대거 적용할 계획입니다. 또한 D램·HBM 경쟁력 회복에 자원이 쏠리면서 투자 시점을 한동안 놓쳤던 점도 'V10 직행'의 배경입니다.

삼성전자가 새로 키우려는 또 다른 사업은 화합물 반도체입니다. 대표 주자는 질화갈륨(GaN)과 실리콘카바이드(SiC). 두 소재는 기존 실리콘(Si) 대비 전력 손실이 적고 고온·고전압에 강해 전기차, 태양광, 데이터센터용 전력반도체로 각광받고 있습니다.

삼성은 2023년 8인치 파운드리(위탁생산) 라인 전환에 착수해 일부 장비를 그대로 활용하고 있고, SiC 어닐링 등 신규 장비 도입도 진행 중입니다. 글로벌 GaN·SiC 전력반도체 시장은 2026년 50억달러 → 2032년 180억달러 → 2035년 477억달러로 10년 새 약 10배 가까이 폭발적 성장이 전망됩니다.

세 번째 승부수는 첨단 패키징입니다. 반도체를 만든 뒤 자르고 붙여 완제품으로 만드는 '후공정' 단계로, AI 칩에는 단순 메모리뿐 아니라 2.5D·3D 패키징, 공동패키징광학(CPO) 등 고난도 기술이 필요해졌습니다. 삼성은 온양·천안 캠퍼스를 중심으로 설비를 확대 중이며, 물량이 늘면 외주패키지테스트(OSAT) 협력사도 동반 성장이 예상됩니다.

네 번째는 유리기판(Glass Substrate)입니다. 기존 플라스틱 기판보다 미세 회로 구현이 쉽고 휨이 적어 차세대 AI 반도체 기판으로 주목받습니다. 세계 반도체 기판 시장은 2025년 133.6억달러 → 2033년 269.1억달러(연평균 9.15% 성장)로 추정되며, 이미 TSMC·인텔도 유리기판 도입에 뛰어들어 삼성도 다수 공급망 업체와 협력 중입니다.

4대 신성장 동력에는 공통적으로 'AI 인프라 수요 대응'이라는 키워드가 깔려 있습니다. 낸드는 데이터를 저장하고, 화합물 반도체는 그 데이터를 처리하는 전력을 공급하며, 패키징과 기판은 그 모든 것을 하나로 묶어 AI 칩을 만들어 냅니다. 4개가 따로 가는 게 아니라 하나의 AI 칩 생태계를 완성한다는 점이 핵심입니다.

관건은 '속도'입니다. HBM에서 한 박자 늦었던 경험이 있는 만큼, 삼성은 V10 양산 시점과 8인치 화합물 라인 전환, 유리기판 도입 모두를 동시에 앞당기려 하고 있습니다. 핵심 고객사인 삼성의 투자 방향에 따라 국내 소부장 협력사 매출도 좌우될 가능성이 큽니다.